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LN108N3T5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- 特性：VDS=20V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：笔记本电脑和便携式设备的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN108N3T5G
- 商品编号
- C5273740
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00922克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 我们声明该产品的材料符合RoHS标准且无卤。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 负载开关
- 数码相机(DSC)