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S-LNP2010DT2AG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：P沟道：VDS = -20V，RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@4.7A为70mΩ；RDS(ON)，VGS@2.5V，IDS@1.0A为110mΩ。 N沟道：VDS = 20V，RDS(ON)，VGS@2.5V，IDS@5.2A为50mΩ；RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@6A为40mΩ
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LNP2010DT2AG
- 商品编号
- C5273391
- 商品封装
- DFN2020-6D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV；1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V；6.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 636pF；751pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF；59.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62.8pF；91pF |
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 静电放电保护栅极
- 我们声明产品材料无卤且符合 RoHS 要求。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 电池管理应用
- 电源管理功能
- 直流 - 直流转换器