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LP2301ELT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 20V P沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2301ELT1G
- 商品编号
- C5273664
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -2.0A 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 156mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -2.8A 时,导通电阻 RDS(ON) ≤ 110mΩ
- 我们声明该产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- 以 S 为前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
- 采用先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流,改善直通品质因数(FOM)
- 具备静电放电(ESD)保护,人体模型(HBM)静电放电 > 1kV
应用领域
-驱动要求简单-封装外形小巧-表面贴装器件