S-LP3415ELT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LP3415ELT1G
- 商品编号
- C5273727
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.091nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2300DS-T1-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -4A 时 = 60mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -4A 时 = 75mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)),栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏源电流(IDS)为 -2A 时 = 88mΩ
- 人体放电模式(HBM)静电敏感度 > 2KV
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻。
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