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S-LP3415ELT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LP3415ELT1G
- 商品编号
- C5273727
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@1.8V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.091nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI2300DS-T1-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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