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LP2305ALT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.5A = 68mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3A = 81mΩ。 RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-2A = 118mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 完全表征雪崩电压和电流。 改进的直通品质因数。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2305ALT1G
- 商品编号
- C5273708
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.76nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.245nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -3.5A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 68mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -3A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 81mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -1.8V、漏极电流(ID)为 -2A 时,导通电阻(RDS(ON)) = 118mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完整
- 改善了直通品质因数
- 本产品材料符合 RoHS 标准且无卤。