温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LP2305ALT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = -20V。 RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-3.5A = 68mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-3A = 81mΩ。 RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-2A = 118mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 完全表征雪崩电压和电流。 改进的直通品质因数。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2305ALT1G
- 商品编号
- C5273708
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.76nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.245nF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V
- 当栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（IDS）为 -4A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 60mΩ
- 当栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（IDS）为 -4A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 75mΩ
- 当栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（IDS）为 -2A 时，导通电阻（RDS(ON)） = 88mΩ
- 人体模型静电放电敏感度（HBM） > 2KV
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。