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LP2371LT1G
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.8A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 1.4Ω，Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 1.5Ω，Vgs@-4.5V。 快速开关速度。 低RDS(on)沟槽技术。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用：PoE电源设备。 PoE受电设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2371LT1G
- 商品编号
- C5273712
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 472pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
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