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S-LP2309LT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) 215mΩ，Vgs@-10V；RDS(ON) 260mΩ，Vgs@-4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LP2309LT1G
- 商品编号
- C5273673
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.06nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在Vgs为 -10V时,RDS(ON) ≤ 215mΩ
- 在Vgs为 -4.5V时,RDS(ON) ≤ 260mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 产品材料符合RoHS要求且无卤
- 以“S-”为前缀,适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机(DSC)
- 液晶显示器(LCD)逆变器