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S-LP2309LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LP2309LT1G

1个P沟道 耐压:60V 电流:1.5A

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描述
特性:RDS(ON) 215mΩ,Vgs@-10V;RDS(ON) 260mΩ,Vgs@-4.5V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
商品型号
S-LP2309LT1G
商品编号
C5273673
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@4.5V,1.4A
耗散功率(Pd)900mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)4.06nC@4.5V
输入电容(Ciss)373pF@30V
反向传输电容(Crss)17.4pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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