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LN2292LT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS = 100V。 RDS(ON) ≤ 200 mΩ@VGS = 10V, ID = 3A。 RDS(ON) ≤ 260 mΩ@VGS = 4.5V, ID = 1A。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2292LT1G
- 商品编号
- C5273697
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 501pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V
- 当栅源电压(VGS) = 10V、漏极电流(ID) = 3A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 200 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V、漏极电流(ID) = 1A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 260 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 标准且无卤素。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 直流 - 直流转换器
- 负载开关