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S-LN2308LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LN2308LT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:2.6A

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私有库下单最高享92折
描述
特性:出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
商品型号
S-LN2308LT1G
商品编号
C5273670
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V
耗散功率(Pd)700mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)6.4nC@10V
输入电容(Ciss)337pF
反向传输电容(Crss)15.8pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-负载开关

数据手册PDF