温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S-LN2308LT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LN2308LT1G
- 商品编号
- C5273670
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 337pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.8pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源击穿电压（最小值） = 20V
- 漏极电流（最大值） = 5A
- 导通电阻 = 26 mΩ（典型值），栅源电压 = 4.5V
- 导通电阻 = 33 mΩ（典型值），栅源电压 = 2.5V
应用领域
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 人体模型静电放电等级为 0 级（<100V）
- 我们声明该产品的材料无卤素，且符合 RoHS 要求。