LN2306ELT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.4A
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- 描述
- 特性:VDS = 30V。 RDS(ON) ≤ 65mΩ@VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 75mΩ@VGS = 4.5V。 RDS(ON) ≤ 105mΩ@VGS = 2.5V。 RDS(ON) ≤ 400mΩ@VGS = 1.7V。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2306ELT1G
- 商品编号
- C5273650
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@1.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 65 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 75 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 105 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 1.7V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 400 mΩ
- 产品材料符合RoHS标准且无卤
- 栅源极具备静电放电保护
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
