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LN2306ELT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN2306ELT1G

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.4A

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描述
特性:VDS = 30V。 RDS(ON) ≤ 65mΩ@VGS = 10V。 RDS(ON) ≤ 75mΩ@VGS = 4.5V。 RDS(ON) ≤ 105mΩ@VGS = 2.5V。 RDS(ON) ≤ 400mΩ@VGS = 1.7V。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用:笔记本电脑电源管理。 便携式设备
商品型号
LN2306ELT1G
商品编号
C5273650
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.4A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@1.7V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)4.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)247pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 65 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 75 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 105 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 1.7V时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 400 mΩ
  • 产品材料符合RoHS标准且无卤
  • 栅源极具备静电放电保护

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 便携式设备
  • 电池供电系统
  • 负载开关

数据手册PDF