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L2SK3541M3T5G
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- L2SK3541M3T5G
- 商品编号
- C5273370
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PD54008L - E是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源模式下，它可在高达1 GHz的频率和7 V电压下工作。PD54008L - E采用创新的无引脚SMD塑料封装PowerFLAT™，搭载了STH1LV最新LDMOS技术，具备出色的增益、线性度和可靠性。 PD54008L - E卓越的线性性能使其成为便携式无线电的理想解决方案。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压驱动(2.5V),非常适合便携式设备
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
- 接口、开关(30V,100mA)