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LMP21D5N3T5G实物图
  • LMP21D5N3T5G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMP21D5N3T5G

1个P沟道 耐压:20V 电流:700mA

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商品型号
LMP21D5N3T5G
商品编号
C5273372
商品封装
SOT-883​
包装方式
编带
商品毛重
0.01332克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))670mΩ@5V
耗散功率(Pd)460mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)830pC@4.5V
输入电容(Ciss)46.1pF
反向传输电容(Crss)4.9pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景: 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC-DC转换器

商品特性

  • 栅极 - 源极静电放电保护。
  • 高端开关。
  • 低导通电阻。
  • 低阈值。
  • 快速开关速度。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器。
  • 电池供电系统。
  • 电源转换电路。
  • 负载/电源开关,用于手机、寻呼机。

数据手册PDF