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LSI1012DW1T1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:900mA
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LSI1012DW1T1G
- 商品编号
- C5273363
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA |
商品特性
- 我们声明，产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。
- 沟槽 MOSFET 技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路