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LSI1012DW1T1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:900mA
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LSI1012DW1T1G
- 商品编号
- C5273363
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 245mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 60.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9.8pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 我们声明,产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
- 表面贴装封装。
- 极低的阈值电压
- 先进的沟槽单元设计
- 栅极到源极 ESD 保护:HBM > 2KV
应用领域
- 便携式设备