STE88N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:88A
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- 描述
- N沟道650 V、0.024 Ohm典型值、88 A MDmesh M5功率MOSFET，ISOTOP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STE88N65M5
- 商品编号
- C5268751
- 商品封装
- ISOTOP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 710V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 494W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.825nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，适用于要求极高的高效转换器。 TO - 220FP宽爬电距离封装为功率MOSFET提供了增强的表面绝缘性能，可防止在污染环境中可能发生的电弧放电导致的故障。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用