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WSM320N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:320A
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- 描述
- WSM320N04G是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSM320N04G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSM320N04G
- 商品编号
- C5242054
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 800pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
WSM320N04G 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。该器件符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 电动工具应用