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WSM320N04G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSM320N04G

1个N沟道 耐压:40V 电流:320A

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描述
WSM320N04G是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSM320N04G符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSM320N04G
商品编号
C5242054
商品封装
TOLL-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)320A
导通电阻(RDS(on))1.2mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)8.1nF@20V
反向传输电容(Crss)800pF@20V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.2nF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换流鲁棒性,且不影响设计导入过程的简易性。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF