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WSP4626
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.7A
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- 描述
- WSP4626 是具有极高单元密度的高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4626 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4626
- 商品编号
- C5242066
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 720mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF；230pF |
商品概述
WSR88P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 移动电脑(MB)/笔记本电脑(NB)/超便携个人电脑(UMPC)/显卡(VGA)
- DC-DC电源系统
- 逆变器