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WSF12N10G
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- WSF12N10G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF12N10G
- 商品编号
- C5242071
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.479克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 16.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206.1pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28.9pF |
商品概述
WSD3060DN33是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。 WSD3060DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关