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WSD4280DN22
2个P沟道 耐压:15V 电流:4.6A
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- 描述
- WSD4280DN22 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4280DN22
- 商品编号
- C5242073
- 商品封装
- DFN-C-6-EP2(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 781pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSD4280DN22将采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET与低正向电压肖特基二极管相结合。其小巧纤薄的外形节省了PCB占用空间。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%抗雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-双向阻断开关-DC-DC转换应用-锂电池充电
- WSD4018DN22
- WSD30L68DN33
- X6522WV-2x02H-C60D30-E80
- X6522WV-2x03H-C60D30-E80
- X6522WV-2x04H-C60D30-E80
- X6522WV-2x05H-C60D30-E80
- X6522WV-2x06H-C60D30-E80
- X6522WV-2x07H-C60D30-E80
- X6522WV-2x08H-C60D30-E80
- X6522WV-2x09H-C60D30-E80
- X6522WV-2x10H-C60D30-E80
- X6522WV-2x11H-C60D30-E80
- X6522WV-2x12H-C60D30-E80
- X6522WV-2x13H-C60D30-E80
- X6522WV-2x14H-C60D30-E80
- X6522WV-2x15H-C60D30-E80
- X6522WV-2x16H-C60D30-E80
- X6522WV-2x17H-C60D30-E80
- X6522WV-2x18H-C60D30-E80
- X6522WV-2x19H-C60D30-E80
- X6522WV-2x20H-C60D30-E80