温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSD4280DN22
2个P沟道 耐压:15V 电流:4.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WSD4280DN22 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4280DN22
- 商品编号
- C5242073
- 商品封装
- DFN-C-6-EP2(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 781pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WST06P06是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST06P06符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%抗雪崩能力（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 无刷电机-负载开关-不间断电源
相似推荐
其他推荐