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WSD4018DN22
1个P沟道 耐压:40V 电流:18A
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- 描述
- WSD4018DN22 是高性能的沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4018DN22 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD4018DN22
- 商品编号
- C5242074
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
- 笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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