WSD30L68DN33
1个P沟道 耐压:30V 电流:68A
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- 描述
- WsD30L68DN33是高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD30L68DN33符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过全功能可靠性认证,保证合格。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L68DN33
- 商品编号
- C5242075
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.415nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
WSF2048是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有超高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF2048符合RoHS和绿色产品要求,100%通过耐雪崩能力(EAS)测试,并经过全面的可靠性验证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证耐雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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