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WSD4076DN56实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSD4076DN56

1个N沟道 耐压:40V 电流:76A

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描述
WSD4076DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD4076DN56符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,并通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD4076DN56
商品编号
C5242072
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)76A
导通电阻(RDS(on))6.9mΩ@10V,12A
耗散功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.8nC@10V
输入电容(Ciss)680pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)185pF

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 便携式设备负载开关
  • 直流-直流(DC/DC)转换器

数据手册PDF