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WSR38P10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR38P10

1个P沟道 耐压:100V 电流:35A

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描述
WSR38P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSR38P10符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR38P10
商品编号
C5242064
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))78mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)3.029nF@30V
反向传输电容(Crss)76pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)129pF

商品特性

  • 采用高密单元设计,实现极低的导通电阻RDS(on)。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
  • 负载/电源开关。
  • 接口开关

数据手册PDF