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WSR80N10D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR80N10D

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

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描述
WSR80N10D采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性,适用于……
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR80N10D
商品编号
C5242063
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
5.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)107W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)28.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.999nF@50V
反向传输电容(Crss)7.1pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)322pF

商品特性

  • 200V/1.2A
  • RDS(ON) = 680mΩ(最大值)@ VGS = 10V
  • 静电放电保护
  • 100% 非钳位感性开关(UIS)+ 栅极电阻(Rg)测试
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)

应用领域

  • 网络用 DC-DC 转换器
  • 负载开关

数据手册PDF