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WSM340N10G
1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
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- 描述
- WSM340N10G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSM340N10G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSM340N10G
- 商品编号
- C5242055
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.9nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MPT035N08是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该器件适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用。
商品特性
- VDS = 85 V，VGS = 10 V、ID = 180 A时，Rdson < 4 mΩ（典型值：3 mΩ）
- 快速开关
- 低导通电阻（RDS(on) ≤ 4 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电池管理系统（BMS）
- 电机驱动器