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WST06P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.5A
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- 描述
- WST06P06是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST06P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST06P06
- 商品编号
- C5242059
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
WSR80N10D采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性，适用于逆变器
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用