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WST02N20B
1个N沟道 耐压:200V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：200V/1.2A，RDS(ON) = 680 mΩ（最大值），@ VGS = 10V。 ESD保护。 100% UIS + Rg测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC-DC转换器，用于网络。 负载开关
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02N20B
- 商品编号
- C5242060
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
WSR180N08是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSR180N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 开关应用-逆变器系统电源管理