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WST02N20B

1个N沟道 耐压:200V 电流:1.2A

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描述
特性:200V/1.2A,RDS(ON) = 680 mΩ(最大值),@ VGS = 10V。 ESD保护。 100% UIS + Rg测试。 可靠耐用。 有无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:DC-DC转换器,用于网络。 负载开关
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WST02N20B
商品编号
C5242060
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on))680mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)280pF
反向传输电容(Crss)8.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)25pF

商品概述

WSR180N08是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSR180N08符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的可靠性认证。

商品特性

  • 200V/1.2A
  • RDS(ON) = 680mΩ(最大值)@ VGS = 10V
  • 静电放电保护
  • 100% 非钳位感性开关(UIS)+ 栅极电阻(Rg)测试
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)

应用领域

  • 网络用 DC-DC 转换器
  • 负载开关

数据手册PDF