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WST02N10B
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- WST02N10B是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST02N10B符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST02N10B
- 商品编号
- C5242061
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 711pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
WSD4280DN22将采用高单元密度和DMOS沟槽技术制造的P沟道增强型功率MOSFET与低正向电压肖特基二极管相结合。其小巧纤薄的外形节省了PCB占用空间。
应用领域
- 双向阻断开关-DC-DC转换应用-锂电池充电