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WSD3060DN33
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- WSD3060DN33是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能够为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSD3060DN33符合RoHS和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3060DN33
- 商品编号
- C5242058
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 采用高密单元设计，可实现极低的导通电阻RDS(on)。
- 具备出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 适用于负载/电源开关。
- 适用于接口开关。