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WSK96N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
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- 描述
- WSK96N08是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSK96N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK96N08
- 商品编号
- C5242057
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 185W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 30V、4.0 A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 47mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 绿色器件
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-LED应用