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FH2301S
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻：Low Rds(on)@VGS=-4.5V。 沟道功率MOS管：TrenchFET Power MOSFET。 高电流处理能力：High Current Handing Capability。 无卤、RoHS认证：Halogen-free、RoHS Compliant。 表贴型封装：Surface Mount Package。应用：便携式设备的直流/直流转换：DC/DC Converter for Portable Devices。 高端负载开关：High-side Load Switch
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH2301S
- 商品编号
- C5159028
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器