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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH8818K采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用,具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6.5A
- RDS(ON) < 18 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
- RDS(ON) < 18.5 mΩ(典型值)@ VGS = 3.7V
- RDS(ON) < 19.5 mΩ(典型值)@ VGS = 3.1V
- RDS(ON) < 21 mΩ(典型值)@ VGS = 2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- ESD等级:2000V HBM
应用领域
- 单向负载开关
- 双向负载开关