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FDP24AN06LA0-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻典型值为17毫欧，栅源电压耐受范围为20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。器件能在高频切换下保持高效能，满足对热管理和空间紧凑性有严格要求的电子设备需求，确保系统在连续负载下的稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP24AN06LA0-HXY
商品编号: C54582516
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.712克(g)

商品参数

FDP24AN06LA0采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。