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IPD127N06LGBTMA1-HXY
IPD127N06LGBTMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与50A连续漏极电流承载能力，导通电阻低至11毫欧。低内阻特性显著降低导通损耗，提升电能转换效率。器件适用于高电流密度的电源管理模块、直流电机驱动及电池保护电路，能够在紧凑空间内实现高效开关控制，满足对热性能与功率密度有严格要求的电子设备设计需求。
- 商品型号
- IPD127N06LGBTMA1-HXY
- 商品编号
- C54582517
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
IPD127N06LGBTMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- RDS(ON) < 15mΩ（@ VGS = 10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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