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FDP20AN06A0-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管具备60A连续漏极电流与60V漏源击穿电压，导通电阻低至17毫欧，栅源电压耐受值为20V。低内阻特性显著降低导通损耗，提升能效表现。该器件适用于高电流密度的电源转换模块、直流电机驱动电路及便携式设备电池管理单元，能够在高频开关环境下维持稳定性能，满足对热设计及空间布局有严苛要求的电子系统应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP20AN06A0-HXY
商品编号: C54582515
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.96克(g)

商品参数

FDP20AN06A0采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。