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RSD221N06TL-HXY
RSD221N06TL-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V，栅源电压耐受值20V，支持50A连续漏极电流，导通电阻典型值15mΩ。低导通损耗与高电流承载能力使其适用于大功率直流变换器、电池储能系统及电机驱动模块。在高频开关应用中，该器件能有效降低热耗散，提升电源转换效率，适合对功率密度和能效有严格要求的电子设备，如高性能计算电源及大型照明阵列。
- 商品型号
- RSD221N06TL-HXY
- 商品编号
- C54582509
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.398克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
RSD221N06TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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