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SUD08P06-155L-BE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为10A，漏源击穿电压60V，导通电阻典型值125mΩ，栅源电压耐受范围达±20V。器件在低导通损耗下实现高效开关控制，适用于电池保护电路、负载切换模块及便携式电源管理方案。其电压与电流规格匹配中低压直流系统需求，可在紧凑布局中提供稳定的反向极性防护与功率分配功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD08P06-155L-BE3-HXY
商品编号: C54582513
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

SUD08P06 - 155L - BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。