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2N7002HWX-HXY
2N7002HWX-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏源电压为60V，连续漏极电流0.1A，导通电阻典型值1300毫欧，栅源极耐受电压可达20V。器件适用于低功率开关场景，如便携式设备电源管理、电池保护电路及信号切换模块。其参数特性支持在低压直流系统中实现高效通断控制，满足消费电子与通信终端对小型化、低功耗元器件的需求。
- 商品型号
- 2N7002HWX-HXY
- 商品编号
- C54582500
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
2N7002HWX采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 0.115A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 3Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
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