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SQ7414AEN-T1_BE3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻24mΩ，栅源耐压20V。凭借适中的电流承载能力与低导通损耗，它适用于各类中功率开关电源、直流电机调速器及便携式设备的功率管理模块，能够在高效电能转换与负载切换应用中提供稳定的性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
商品编号: C54582504
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.088克(g)

商品参数

SQ7414AEN-T1_BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。