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NTD32N06LT4G-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源击穿电压（VDSS）与30A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22mΩ。低内阻特性有效降低导通损耗，提升电能转换效率。适用于各类中高功率开关电路、直流电机驱动及电源管理模块，能够在高频切换环境下保持稳定的热性能，满足对空间布局紧凑且需高效能控制的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD32N06LT4G-HXY
商品编号: C54582505
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.416克(g)

商品参数

NTD32N06LT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。