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HUFA75429D3ST-HXY
HUFA75429D3ST-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏源电压为60V，连续漏极电流高达30A，导通电阻典型值为22毫欧。器件适用于大电流电源转换、电机驱动及电池管理系统，在高性能计算设备、储能装置及智能终端中可实现低损耗电能传输与高效开关控制，具备优异的导通特性与热稳定性。
- 商品型号
- HUFA75429D3ST-HXY
- 商品编号
- C54582507
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HUFA75429D3ST采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- RDS(ON) < 26mΩ（VGS = 10V时）
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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