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BXK9Q29-60EJ-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻为24毫欧，栅源电压耐受20V。其适中的电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于中等功率开关场景，如便携式设备电源管理、LED驱动电路及消费类电子主板供电模块。器件在常规工作频率下表现稳定，适合对成本与性能平衡有要求的电路设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BXK9Q29-60EJ-HXY
商品编号: C54582512
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

BXK9Q29 - 60EJ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。