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NTDV20P06LT4G-VF01-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏源电压为60V，连续漏极电流达10A，导通电阻典型值为125毫欧，栅源电压耐受范围为±20V。器件适用于中低压电源管理、负载开关及电池保护电路，在便携式设备、消费类电子及通信模块中可实现高效电能控制与信号切换，具备稳定的静态特性与快速响应能力。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTDV20P06LT4G-VF01-HXY
商品编号: C54582506
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.39克(g)

商品参数

NTDV20P06LT4G-VF01采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。