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AOT2618L
AOT2618L
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V，连续漏极电流达60A，导通电阻低至17毫欧，栅源极耐压20V。凭借低内阻与大电流承载能力，器件适用于高功率密度电源转换、电机驱动控制及电池管理系统。其参数特性支持在低压大电流回路中减少导通损耗，提升能效，广泛服务于高性能计算设备、储能装置及大功率消费电子产品的核心电路设计。
- 商品型号
- AOT2618L
- 商品编号
- C54582501
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- RD3L08BBLHRBTL-HXY
- SUD08P06-155L-E3-HXY
- SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
- NTD32N06LT4G-HXY
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