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RD3L08BBLHRBTL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流高达130安培，漏源击穿电压为60伏，导通电阻仅为3毫欧，栅源驱动电压支持至20伏。凭借极低的导通损耗与卓越的载流能力，器件适用于大电流直流电源模块、高性能电池储能系统及大功率电机驱动电路。在高频开关变换器与负载切换应用中，其低阻抗特性显著降低传导损耗，优化系统热设计并提升整体能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RD3L08BBLHRBTL-HXY
商品编号: C54582502
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

RD3L08BBLHRBTL采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用