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SUD08P06-155L-E3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为10A，漏源击穿电压60V，导通电阻125mΩ，栅源电压耐受值20V。作为高侧开关器件，其参数适用于中等电流负载场景。常见于便携式设备电源管理、电池保护电路及负载切换模块，利用其极性特点简化驱动设计，实现稳定的电压控制与电流导通功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD08P06-155L-E3-HXY
商品编号: C54582503
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

SUD08P06 - 155L - E3采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。