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IRFR3711ZTRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备60安培连续漏极电流能力，漏源击穿电压为20伏。在12伏栅源电压驱动下，其导通电阻低至5毫欧。低内阻特性显著降低了导通损耗与发热量，适用于大电流负载开关、高效DC-DC转换器及电池保护电路等场景。该器件凭借优异的电流处理能力，能够支持高功率密度系统设计，满足对能效和热性能有严格要求的电子设备应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3711ZTRPBF-HXY
商品编号: C54582420
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

IRFR3711ZTRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。