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NVTFWS030N06CTAG-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流20A，漏源击穿电压60V，导通电阻24毫欧，栅源驱动电压上限20V。其电气特性适用于中等功率开关场景，如笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动电路及便携式设备电池管理模块。24毫欧的导通阻抗在60V耐压等级下，为消费类电子提供了损耗与成本的平衡方案，满足对空间布局有严格要求的电路板设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFWS030N06CTAG-HXY
商品编号: C54582490
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.086克(g)

商品参数

NVTFWS030N06CTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。