温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FDP5680-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻典型值为17毫欧，栅源驱动电压支持20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大电流开关电源、电机驱动模块及电池管理系统等场景，能有效提升能量转换效率并降低热设计难度，满足高功率密度电路对开关器件的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP5680-HXY
商品编号: C54582496
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.76克(g)

商品参数

FDP5680采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。