温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XP262N70023R-G-HXY
XP262N70023R-G-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源击穿电压与20V栅源耐压，支持0.1A连续漏极电流，导通电阻为1300mΩ。其参数特性适用于低压信号切换、便携式电子设备电源管理及小功率负载控制场景。器件在低电流应用中提供稳定的开关性能，有助于简化电路设计并优化系统功耗，适合对空间布局有严格要求的紧凑型电子产品。
- 商品型号
- XP262N70023R-G-HXY
- 商品编号
- C54582492
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
XP262N70023R - G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 0.115A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 3Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐
- AG092FLD3HRBTL-HXY
- RD3L04BBLHRBTL-HXY
- RD3L04BBKHRBTL-HXY
- NTTFS5C680NLTAG-HXY
- BSS138PW-HXY
- 2N7002BKW-HXY
- 2N7002HWX-HXY
- AOT2618L
- RD3L08BBLHRBTL-HXY
- SUD08P06-155L-E3-HXY
- SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
- NTD32N06LT4G-HXY
- HUFA75429D3ST-HXY
- NTD32N06LG-HXY
- RSD221N06TL-HXY
- STD30NE06LT4-HXY
- SUD08P06-155L-BE3-HXY
- NTD32N06T4G-HXY
- FDP20AN06A0-HXY
- FDP24AN06LA0-HXY
- IPD127N06LGBTMA1-HXY