NTTFS5C680NLTAG-HXY
NTTFS5C680NLTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻24毫欧，栅源驱动电压支持20V。其适中的电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于中功率开关电源、电动工具控制及便携式储能设备。在各类直流变换电路中，该器件能平衡效率与热管理需求，为高可靠性电源系统提供稳定的开关性能支持。
- 商品型号
- NTTFS5C680NLTAG-HXY
- 商品编号
- C54582497
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品概述
NTTFS5C680NLTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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